MRFX600HSR5

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

32 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

193 V

利得：

26.4 dB

出力電力：

600 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780S-4L

包装：

リール

動作周波数：

1.8 MHz to 400 MHz

シリーズ：

MRFX600

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

2 Channel

Pd-消費電力：

1.333 kW

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.1 V

パーツ番号エイリアス：

935376371178

Tags

MRFX6, MRFX, MRF