ZVN4424GQTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

240 V

Id-連続ドレイン電流：

500 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

40 V

Qg-ゲートチャージ：

-

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.4 S

立ち下がり時間：

16 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.5 ns

単位重量：

0.003951 oz

Tags

ZVN4424G, ZVN44, ZVN4, ZVN