FCP190N60E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

20.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

190 mOhms

Qg-ゲートチャージ：

63 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

208 W

構成：

独身

商標名：

SuperFET II

包装：

チューブ

高さ：

16.3 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FCP190N60E

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

600 V N-Channel MOSFET

幅：

4.7 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

101 ns

典型的なターンオン遅延時間：

23 ns

単位重量：

0.063493 oz

Tags

FCP190N60, FCP190, FCP19, FCP1, FCP