IXTT110N10L2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-268-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

110 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

18 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

260 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

600 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

シリーズ：

IXTT110N10

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

45 S

立ち下がり時間：

24 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

130 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

99 ns

典型的なターンオン遅延時間：

28 ns

単位重量：

0.229281 oz

Tags

IXTT11, IXTT1, IXTT, IXT