UT6K3TCR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

HUML2020L-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

5.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

30 mOhms, 30 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

4 nC, 4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.3 S, 2.3 S

立ち下がり時間：

5.1 ns, 5.1 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5.8 ns, 5.8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 ns, 13 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.2 ns, 7.2 ns

パーツ番号エイリアス：

UT6K3

Tags

UT6K, UT6