CSD83325LT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

BGA-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.9 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

950 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

8.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.3 W

構成：

デュアル

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.2 mm

長さ：

2.2 mm

製品：

パワーMOSFET

シリーズ：

CSD83325L

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

1.15 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

36 S

立ち下がり時間：

589 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

353 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

711 ns

典型的なターンオン遅延時間：

205 ns

単位重量：

0.000053 oz

Tags

CSD8, CSD