RN1130MFV(TPL3)

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

N

構成：

独身

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

100 kOhms

典型的な抵抗比：

1

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VESM-3

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

100 mA

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

150 mW

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

RN1130MFV

包装：

リール

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

DC電流ゲインhFEMax：

100

エミッタ-ベース電圧VEBO：

10 V

高さ：

0.5 mm

長さ：

1.2 mm

動作温度範囲：

- 65 C to + 150 C

タイプ：

NPNエピタキシャルシリコントランジスタ

幅：

0.8 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

RN1130MFV(T, RN1130M, RN1130, RN113, RN11, RN1