KSE13003H2AS

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-126-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

400 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

700 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

9 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.5 V

最大DCコレクタ電流：

1.5 A

ゲイン帯域幅積fT：

4 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

40

高さ：

11 mm

長さ：

8 mm

包装：

バルク

幅：

3.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

1.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

8

Pd-消費電力：

20 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.026843 oz

Tags

KSE13003H2, KSE13003H, KSE13003, KSE13, KSE1, KSE