STN3P6F6

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

160 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

6.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

2.6 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

STripFET

包装：

リール

シリーズ：

STN3P6F6

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

PチャネルパワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

3.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5.3 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.4 ns

単位重量：

0.008818 oz

Tags

STN3P, STN3, STN