NTLJS3113PT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WDFN-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

5.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

90 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

670 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

13 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.9 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

2 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

NTLJS3113P

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

2 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5.9 S

立ち下がり時間：

56.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

17.5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.9 ns

単位重量：

0.000317 oz

Tags

NTLJS3113P, NTLJS311, NTLJS31, NTLJS3, NTLJS, NTLJ, NTL