NVMFD5853NLWFT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-5x6-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

34 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8.4 mOhms, 8.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

23 nC, 23 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

24 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

NVMFD5853NL

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

22 S, 22 S

立ち下がり時間：

4.3 ns, 4.3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

23 ns, 23 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

22 ns, 22 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns, 9 ns

Tags

NVMFD5853NL, NVMFD5853, NVMFD585, NVMFD58, NVMFD, NVMF, NVM