DXTN3C60PSQ-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerDI5060-8

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

180 mV

最大DCコレクタ電流：

3 A

ゲイン帯域幅積fT：

140 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

DC電流ゲインhFEMax：

-

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

50

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.003422 oz

Tags

DXTN3, DXTN, DXT