NTJS3157NT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-88-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

60 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

6.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

NTJS3157N

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

9 S

立ち下がり時間：

11 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

12 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

21 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

Tags

NTJS3157NT, NTJS3157N, NTJS3157, NTJS3, NTJS, NTJ