CSD25213W10

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DSBGA-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

67 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

850 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

6 V

Qg-ゲートチャージ：

2.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.62 mm

長さ：

1 mm

シリーズ：

CSD25213W10

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

1 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

立ち下がり時間：

970 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

520 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

1 us

典型的なターンオン遅延時間：

510 ns

単位重量：

0.000039 oz

Tags

CSD252, CSD25, CSD2, CSD