VNN3NV04PTR-E

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

ゲートドライバー

JBoss：

Y

製品：

MOSFETゲートドライバ

タイプ：

ローサイド

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223

ドライバーの数：

1 Driver

出力数：

1 Output

出力電流：

3.5 A

立ち上がり時間：

250 ns

立ち下がり時間：

250 ns

供給電圧-最小：

2.5 V

供給電圧-最大：

55 V

動作供給電流：

100 uA

Pd-消費電力：

35 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

VNN3NV04P-E

資格：

AEC-Q100

包装：

リール

動作温度範囲：

- 40 C to + 150 C

テクノロジー：

Si

ブランド：

STMicroelectronics

最大ターンオフ遅延時間：

450 ns (Typ)

最大ターンオン遅延時間：

90 ns (Typ)

感湿性：

はい

製品タイプ：

ゲートドライバー

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

PMIC-パワーマネジメントIC

単位重量：

0.003951 oz

Tags

VNN3NV, VNN3, VNN