DMG1013UW-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

820 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

750 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

622.4 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

0.31 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

DMG1013

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

20.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8.1 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

28.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.1 ns

単位重量：

0.000176 oz

Tags

DMG1013UW-7, DMG1013U, DMG1013, DMG101, DMG1, DMG