SI3993CDV-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSOP-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

2.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

133 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.15 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SI3

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4 S

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

17 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

単位重量：

0.000705 oz

Tags

SI3993C, SI3993, SI399, SI39, SI3