TK6P60W,RVQ

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

6.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

820 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.7 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

12 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

60 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

TK6P60W

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5.5 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

18 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

55 ns

典型的なターンオン遅延時間：

40 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

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