UM6K1NTN

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

100 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4 V

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

150 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

UM6K1N

トランジスタタイプ：

2 N-Channel MOSFET

タイプ：

MOSFET

幅：

1.25 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

80 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

35 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

80 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

パーツ番号エイリアス：

UM6K1N

単位重量：

0.000265 oz

Tags

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