TPWR8503NL,L1Q

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DSOP-Advance-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

150 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

74 nC

最低動作温度：

-

最高作動温度：

-

Pd-消費電力：

142 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.73 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

TPWR8503NL

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9.6 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

89 ns

典型的なターンオン遅延時間：

23 ns

Tags

TPWR8503N, TPWR85, TPWR8, TPWR, TPW