APT60N60SCSG

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

D3PAK-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

60 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

45 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

150 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

431 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

100 ns

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

APT60N6, APT60N, APT60, APT6, APT