AFT31150NR5

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

1.8 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 65 V

利得：

17 dB

出力電力：

150 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

OM-780-2L

包装：

リール

動作周波数：

2700 MHz to 3100 MHz

シリーズ：

AFT31150N

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

1 Channel

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

741 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

パーツ番号エイリアス：

935346512578

単位重量：

0.108683 oz

Tags

AFT3, AFT