IRL6372PBF

Mfr. #:: IRL6372PBF
メーカー:: Infineon Technologies
説明:: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: IRL6372PBF データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: インフィニオンテクノロジーズ

製品カテゴリ: FET-アレイ

シリーズ: HEXFETR

包装: チューブ代替包装

単位重量: 0.019048 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

テクノロジー: Si

作動温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ: 表面実装

チャネル数: 2 Channel

サプライヤー-デバイス-パッケージ: 8-SO

構成: デュアル

FETタイプ: 2 N-Channel (Dual)

パワーマックス: 2W

トランジスタタイプ: 2 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 30V

入力-静電容量-Ciss-Vds: 1020pF @ 25V

FET機能: ロジックレベルゲート

Current-Continuous-Drain-Id-25°C: 8.1A

Rds-On-Max-Id-Vgs: 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V

Vgs-th-Max-Id: 1.1V @ 10μA

ゲートチャージ-Qg-Vgs: 11nC @ 4.5V

Pd-電力損失: 2 W

Vgs-Gate-Source-Voltage: 12 V

Id-連続-ドレイン-電流: 8.1 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 30 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 17.9 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

Qg-Gate-Charge: 11 nC

Tags: IRL637, IRL63, IRL6, IRL

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IRL6372PBF 説明

***ure Electronics: Dual N-Channel 30 V 2.0 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8

***ernational Rectifier: 30V Dual N-Channel Low Logic Level HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Lead-Free package

***et: Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC Tube

***ied Electronics & Automation: MOSFET Dual N-Ch 30V 8.1A HEXFET SOIC8

***ineon: Benefits: RoHS Compliant; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified MSL1; Dual N-Channel MOSFET | Target Applications: Battery Protection

***nell: MOSFET,NN CH,W DIODE,30V,8.1A,SO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Drain Current Id:8.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Power Dissipation Pd:2W

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
IRL6372PBF DISTI # IRL6372PBF-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tube	Limited Supply - Call
IRL6372PBF DISTI # 942-IRL6372PBF	Infineon Technologies AG	MOSFET 30V DUAL N-CH LO LOGIC LEVEL RoHS: Compliant	0
IRL6372TRPBF DISTI # IRL6372PBF-GURT	Infineon Technologies AG	2xN-LogL 30V 8,1A 2,0W 0,0179R SO8 RoHS: Compliant	0	50:€0.2625 100:€0.2225 500:€0.2025 2000:€0.1950
IRL6372PBF DISTI # 1888167	Infineon Technologies AG	MOSFET,NN CH,W DIODE,30V,8.1A,SO8 RoHS: Compliant	0	1:$1.3700 10:$1.2000 100:$0.9170 500:$0.7250 1000:$0.5800

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画像	モデル	説明
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	Mfr.#: IRL6372TRPBF OMO.#: OMO-IRL6372TRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC