2SC5659T2LN

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

25 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

40 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

最大DCコレクタ電流：

0.05 A

ゲイン帯域幅積fT：

300 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SC5659

DC電流ゲインhFEMax：

56 at 1 mA, 6 V

高さ：

0.5 mm

長さ：

1.2 mm

包装：

リール

幅：

0.8 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

56

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SC5659, 2SC565, 2SC56, 2SC5, 2SC