SMMBT2369ALT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

15 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

40 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

4.5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.3 V

最大DCコレクタ電流：

200 mA

ゲイン帯域幅積fT：

300 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MMBT2369AL

DC電流ゲインhFEMax：

120

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

200 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20

Pd-消費電力：

300 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000282 oz

Tags

SMMBT2, SMMBT, SMMB, SMM