FDMA86108LZ

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

MicroFET-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

2.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

446 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

2.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.4 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

FDMA86108LZ

幅：

2 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

1.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.7 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

7.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.2 ns

単位重量：

0.001058 oz

Tags

FDMA86, FDMA8, FDMA, FDM