NVMFS5A160PLZT3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8FL

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

160 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

200 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 P-Channel Power MOSFET

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

643 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

690 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

645 ns

典型的なターンオン遅延時間：

50 ns

Tags

NVMFS5A16, NVMFS5A, NVMFS5, NVMFS, NVMF, NVM