FDMD8240LET40

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PQFN-12

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

103 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.3 mOhms, 4.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

40 nC, 40 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

50 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

パワークリップ

包装：

リール

高さ：

0.8 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

FDMD8240LET40

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

3.3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

107 S, 107 S

立ち下がり時間：

9 ns, 9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns, 8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

36 ns, 36 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns, 12 ns

単位重量：

0.002904 oz

Tags

FDMD82, FDMD, FDM