IRF40DM229

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DirectFET-MF

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

159 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

161 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

83 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

StrongIRFET

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

87 S

立ち下がり時間：

54 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

66 ns

ファクトリーパックの数量：

4800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

54 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001576692

Tags

IRF40, IRF4, IRF