FGH75T65SQDNL4

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-247-4

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

650 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.43 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

200 A

Pd-消費電力：

375 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

200 A

ブランド：

オン・セミコンダクター

ゲートエミッタリーク電流：

250 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

450

サブカテゴリ：

IGBT

Tags

FGH75T65SQ, FGH75T65S, FGH75T, FGH7, FGH