CSD19538Q3AT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VSONP-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

15 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

61 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

4.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.8 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

3.15 mm

シリーズ：

CSD19538Q3A

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

立ち下がり時間：

2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

7 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns

Tags

CSD19538, CSD1953, CSD19, CSD1, CSD