2SJ652-RA11

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

28 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

28.5 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

独身

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.211644 oz

Tags

2SJ652, 2SJ65, 2SJ6, 2SJ