FDL100N50F

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-264-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

43 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 kW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

UniFET

包装：

チューブ

高さ：

26.4 mm

長さ：

20.2 mm

シリーズ：

FDL100N50F

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

RFET

幅：

5.2 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

95 S

立ち下がり時間：

105 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

186 ns

ファクトリーパックの数量：

375

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

202 ns

典型的なターンオン遅延時間：

63 ns

単位重量：

0.238311 oz

Tags

FDL10, FDL1, FDL