FCP125N65S3

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

24 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

125 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

46 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

181 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel SuperFET III MOSFET

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

17 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

26 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

73 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

Tags

FCP125, FCP12, FCP1, FCP