L6399DTR

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

ゲートドライバー

JBoss：

Y

製品：

IGBT、MOSFETゲートドライバ

タイプ：

ハイサイド、ローサイド

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

ドライバーの数：

1 Driver

出力数：

1 Output

出力電流：

430 mA

立ち上がり時間：

75 ns

立ち下がり時間：

35 ns

供給電圧-最小：

10 V

供給電圧-最大：

20 V

動作供給電流：

380 uA

Pd-消費電力：

800 mW

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

シリーズ：

L6399

出力電圧：

580 V

テクノロジー：

Si

ブランド：

STMicroelectronics

最大ターンオフ遅延時間：

200 ns

最大ターンオン遅延時間：

200 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

ゲートドライバー

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

PMIC-パワーマネジメントIC

Tags

L639, L63