KSB834WYTM

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

E

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.5 V

最大DCコレクタ電流：

3 A

ゲイン帯域幅積fT：

9 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

KSB834W

DC電流ゲインhFEMax：

200

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.67 mm

包装：

リール

幅：

9.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

- 3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60

Pd-消費電力：

30 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.046296 oz

Tags

KSB83, KSB8, KSB