QPD0030

製品属性

属性値

メーカー：

カーボ

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

GaN

利得：

21.7 dB

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

-

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

-

Id-連続ドレイン電流：

-

出力電力：

45 W

最大ドレインゲート電圧：

-

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

-

Pd-消費電力：

45 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

QFN-20

包装：

リール

応用：

マイクロセル基地局、W-CDMA / LTE

構成：

独身

動作周波数：

DC to 4 GHz

シリーズ：

QPD

ブランド：

カーボ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

1132528

Tags

QPD0, QPD