NSVF6003SB6T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラ

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

12 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

2 V

連続コレクタ電流：

150 mA

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

CPH-6

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

動作周波数：

7 GHz

ブランド：

オン・セミコンダクター

最大DCコレクタ電流：

150 mA

Pd-消費電力：

800 mW

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NSVF, NSV