EFC2J013NUZTDG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WLCSP-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

37 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.8 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

枯渇

包装：

リール

シリーズ：

EFC2J013NUZ

トランジスタタイプ：

デュアルNチャネルMOSFET

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

73 us

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

26 us

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

130 us

典型的なターンオン遅延時間：

11 us

Tags

EFC2J01, EFC2J, EFC2, EFC