NTZD3155CT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

540 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

550 mOhms, 900 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

6 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

250 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.55 mm

長さ：

1.6 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

NTZD3155C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

1.2 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

4 ns, 12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4 ns, 12 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

16 ns, 35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns, 10 ns

単位重量：

0.000106 oz

Tags

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