2SCR346PT100P

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-62-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

400 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

400 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

100 mV

最大DCコレクタ電流：

100 mA

ゲイン帯域幅積fT：

-

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SxR

DC電流ゲインhFEMax：

270 at 10 mA, 10 V

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

82 at 10 mA, 10 V

Pd-消費電力：

500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SCR346, 2SCR34, 2SCR3, 2SCR, 2SC