IXTA260N055T2-7

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-7

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

55 V

Id-連続ドレイン電流：

260 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

140 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

480 W

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

4.7 mm

長さ：

9.4 mm

シリーズ：

IXTA260N055

タイプ：

TrenchT2 Power MOSFET

幅：

10.2 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

55 S

立ち下がり時間：

24 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

27 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

36 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

単位重量：

0.056438 oz

Tags

IXTA26, IXTA2, IXTA, IXT