2N5951

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

JFET

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

15 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

13 mA

最大ドレインゲート電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

350 mW

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

包装：

バルク

構成：

独身

高さ：

5.33 mm

長さ：

5.2 mm

製品：

RF JFET

タイプ：

JFET

幅：

4.19 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

ゲート-ソースカットオフ電圧：

2 V to 5 V

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.007090 oz

Tags

2N5951, 2N595, 2N59, 2N5