BSS123LT3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

170 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

225 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.94 mm

長さ：

2.9 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.08 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS123LT, BSS123L, BSS123, BSS12, BSS1, BSS