IXFN34N80

IXFN34N80
Mfr. #:
IXFN34N80
メーカー:
Littelfuse
説明:
MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
IXFN34N80 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
IXYS
製品カテゴリ
モジュール
シリーズ
IXFN34N80
包装
チューブ
単位重量
1.340411 oz
取り付けスタイル
SMD / SMT
商標名
HyperFET
パッケージ-ケース
SOT-227-4
テクノロジー
Si
チャネル数
1 Channel
構成
シングルデュアルソース
トランジスタタイプ
1 N-Channel
Pd-電力損失
600 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
40 ns
立ち上がり時間
45 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-連続-ドレイン-電流
34 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
800 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
240 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
100 ns
典型的なターンオン遅延時間
45 ns
チャネルモード
強化
Tags
IXFN34, IXFN3, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
***ark
MOSFET, N, SOT-227B; Transistor type:MOSFET; Current, Id cont:34A; Resistance, Rds on:0.24R; Case style:SOT-227B (ISOTOP); Current, Idm pulse:136A; Energy, avalanche repetitive Ear:64mJ; Energy, avalanche single pulse Eas:3J; Power RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:34A; Resistance, Rds On:0.24ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:ISOTOP; Termination Type:Screw; Avalanche Single Pulse Energy Eas:3J; Current, Idm Pulse:136A; Max Repetitive Avalanche Energy:64mJ; Power Dissipation:600W; Power, Pd:600W; Resistance, Rds on Max:0.24ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Isolation:2500V; Voltage, Vds Max:800V; Voltage, Vgs th Max:5V; Weight:0.000036kg
モデル メーカー 説明 ストック 価格
IXFN34N80
DISTI # IXFN34N80-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 10:$30.7470
IXFN34N80
DISTI # 747-IXFN34N80
IXYS CorporationMOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds
RoHS: Compliant
0
  • 10:$30.7500
  • 30:$28.2600
  • 50:$27.0500
  • 100:$26.2600
  • 200:$24.1000
画像 モデル 説明
IXFN70N100X

Mfr.#: IXFN70N100X

OMO.#: OMO-IXFN70N100X

MOSFET 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET
IXFN170N30P

Mfr.#: IXFN170N30P

OMO.#: OMO-IXFN170N30P

MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds
IXFN70N120SK

Mfr.#: IXFN70N120SK

OMO.#: OMO-IXFN70N120SK

MOSFET SiC Power MOSFET
IXFN44N60

Mfr.#: IXFN44N60

OMO.#: OMO-IXFN44N60

MOSFET 44 Amps 600V
IXFN230N10

Mfr.#: IXFN230N10

OMO.#: OMO-IXFN230N10

MOSFET 230 Amps 100V 0.006 Rds
IXFN110N60P3

Mfr.#: IXFN110N60P3

OMO.#: OMO-IXFN110N60P3-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
IXFN160N30T

Mfr.#: IXFN160N30T

OMO.#: OMO-IXFN160N30T-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
IXFN21N100Q

Mfr.#: IXFN21N100Q

OMO.#: OMO-IXFN21N100Q-IXYS-CORPORATION

MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds
IXFN36N100

Mfr.#: IXFN36N100

OMO.#: OMO-IXFN36N100-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 1KV 36A
IXFN102N30P

Mfr.#: IXFN102N30P

OMO.#: OMO-IXFN102N30P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds
可用性
ストック:
Available
注文中:
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参考価格(USD)
単価
小計金額
1
$36.15
$36.15
10
$34.34
$343.42
100
$32.54
$3 253.50
500
$30.73
$15 363.75
1000
$28.92
$28 920.00
2021年から半導体が不足しているため、2021年以前の通常価格以下の価格です。お問い合わせください。
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