STD12NM50ND

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

11 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

380 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

30 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

100 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

STD12NM50ND

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Power MOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8 S

立ち下がり時間：

17 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STD12NM, STD12N, STD12, STD1, STD