NSVJ5908DSG5T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

JFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

MCPH-5

トランジスタの極性：

Nチャネル

構成：

デュアル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

15 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 15 V

Vgs = 0でのドレイン-ソース電流：

32 mA

Id-連続ドレイン電流：

50 mA

Pd-消費電力：

300 mW

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

24 mS

ゲート-ソースカットオフ電圧：

- 0.7 V

製品タイプ：

JFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NSVJ, NSV