2SB1182TLR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

32 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 32 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

最大DCコレクタ電流：

2 A

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SB1182

DC電流ゲインhFEMax：

180

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

包装：

リール

幅：

5.5 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 2 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

180

Pd-消費電力：

10000 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.009185 oz

Tags

2SB1182TLR, 2SB1182TL, 2SB1182T, 2SB1182, 2SB118, 2SB11, 2SB1, 2SB