MRFE6S9060NR1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

66 V

利得：

21.1 dB

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-270

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

2.08 mm

長さ：

9.7 mm

動作周波数：

1 GHz

シリーズ：

MRFE6S9060NR1

幅：

6.15 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 0.5 V, 12 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V

パーツ番号エイリアス：

935309637528

単位重量：

0.018679 oz

Tags

MRFE6S9060N, MRFE6S906, MRFE6S90, MRFE6S9, MRFE6S, MRFE6, MRFE, MRF