2N7002W-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

70 V

Id-連続ドレイン電流：

115 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.6 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

200 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

高さ：

1 mm

長さ：

2.2 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

2N7002W

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

FET

幅：

1.35 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.08 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

11 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns

単位重量：

0.000176 oz

Tags

2N7002W-7, 2N7002W, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7